年9月19日，“英特尔精尖制造日”活动在北京举行。本次活动云集了英特尔制程、制造方面最权威的专家团，包括公司执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁StacySmith，高级院士、技术与制造事业部制程架构与集成总监MarkBohr，公司技术与制造事业部副总裁、晶圆代工业务联席总经理ZanBall，并了主题演讲。
杨旭致辞
英特尔公司全球副总裁兼中国区总裁杨旭登台致辞，欢迎来自合作伙伴、客户、政府部门和学术界的嘉宾以及新闻媒体出席年9月19日在北京举行的“英特尔精尖制造日”活动。此次活动着眼于快速发展的中国技术生态系统，重申英特尔与中国半导体产业共成长的承诺。英特尔在过去32年里，打造了世界级的晶圆制造和封装测试工厂，自年以来在华协议总投入达亿美元。
杨旭表示我们现在正处于一个数据的时代，以前是人上网，现在是物上网，两者的不同是，后者每天所产生的数据量成几何倍数增长。到年的时候，每天的数据量将达到44ZB！从数据量来讲，中国是世界最大的数据产生国之一。英特尔CEO科再奇曾说，“数据是未来的石油”，数据创造价值的时代已经来临。
StacySmith主题演讲：摩尔定律并没有消亡
英特尔公司执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁StacySmith表示，对英特尔来说，中国是非常重要的市场。在过去32年中，英特尔不断学习，并对中国集成电路行业的发展作出贡献，中国未来也依然是英特尔重要的合作伙伴。基于一代一路战略，英特尔也提出了芯路概念。
StacySmith表示很高兴首次在中国与大家分享英特尔制程工艺路线图中的多项重要进展，展现了我们持续推动摩尔定律向前发展所获得的丰硕成果。
StacySmith在演讲中提到了摩尔定律，他说，摩尔定律其实反映的是一种经济学原理，它正在改变我们每个人的生活。摩尔定律在其它领域同样适用。
StacySmith认为摩尔定律不会失效，他说，英特尔遵循摩尔定律，持续向前推进制程工艺，每一个节点晶体管数量会增加一倍，14nm和10nm都做到了，并带来更强的功能和性能、更高的能效，而且晶体管成本下降幅度前所未有。这表示摩尔定律依然有效。
StacySmith认为节点之间的时间延长是整个行业面临的问题，那么摩尔定律在这种情况下能否带来同样的效益。答案依然是肯定的。英特尔的超微缩技术让英特尔能够加速推进密度的提升，借助节点内优化，产品功能每年都可实现增强。
超微缩技术带来的好处是什么呢？StacySmith先生用图进行诠释。
超微缩技术的使用，英特尔的14nm制程工艺更加优秀。虽然同为14nm，英特尔的芯片密度更高，性能更强。其它的10nm制程工艺，仅相当于英特尔14nm工艺制程的芯片密度。
StacySmith认为英特尔在14nm制程工艺上保持着大约三年的领先性。
StacySmith还介绍了英特尔全球精尖制造布局。他说，拥有领先逻辑晶圆厂的公司数量已经越来越少，众多公司已经被淘汰出局。目前在14-16nm节点只剩4家（英特尔、三星、台积电、格芯），且仅有2家（英特尔、三星）有一体化的器件生产能力。
StacySmith还介绍了英特尔代工业务。他说，年全球晶圆代工收入为亿美元，其中高端技术（28/20/16/14nm）代工收入年达到亿美元。英特尔将致力22/14/10nm工艺节点的晶圆代工，发力高端市场。
StacySmith演讲的最后首次展示了10nm晶圆。
MarkBohr主题演讲：制程工艺细节
英特尔高级院士、技术与制造事业部制程架构与集成总监MarkBohr介绍了英特尔10纳米制程工艺的最新细节，展现了英特尔的技术领先性。
MarkBohr展示了英特尔的制程工艺时间图。他说，英特尔是首家做到22nmFinFET的公司，比竞争友商至少领先三年。
MarkBohr演示了他提出的晶体管密度计算公式，用以规范晶体管密度的通用衡量标准。
MarkBohr说，14nm到10nm所花费的时间超过两年，但密度提升非常可观。晶体管密度每两年提高约一倍，10nm每平方毫米晶体管数量超过1亿个，而14nm每平方毫米晶体管数量只有不到万个。
MarkBohr说，微处理器晶片的微缩每一代系数约为0.62倍，10nm微缩系数约为0.43倍。提升密度、提高性能、降低能耗、降低成本，是英特尔致力的目标。
MarkBohr说，英特尔目前投产、开发和前沿研究中的节点，从45-32-22-14-10-7-5-3nm。
MarkBohr介绍了14nm超微缩相对于22nm超微缩的领先性，同时也介绍了10nm相对于14nm超微缩的技术差异。他说，22nm到14nm再到10nm，第三代FinFET晶体管有了极大的突破。10nm鳍片的高度较14nm提高25%，间距缩小25%，超强的微缩能力和全新特性将晶体管密度提升了2.7倍。
MarkBohr还介绍了22FFL技术的相关信息。22FFL是在年3月美国“英特尔精尖制造日”活动上首次宣布的一种面向移动应用的超低功耗FinFET技术。英特尔22FFL可带来一流的CPU性能，实现超过2GHz的主频以及漏电降低倍以上的超低功耗。此外，22FFL晶圆在本次活动上全球首次公开亮相。年4季度生产就绪。
MarkBohr说基于多年22nm/14nm的制造经验，英特尔推出了称为22FFL（FinFET低功耗）的全新工艺。该工艺提供结合高性能和超低功耗的晶体管，及简化的互连与设计规则，能够为低功耗及移动产品提供通用的FinFET设计平台。与先前的22GP相比，全新22FFL技术的漏电量最多可减少倍。22FFL工艺还可达到与英特尔14nm晶体管相同的驱动电流，同时实现比业界28nm/22nm平面技术更高的面积微缩。22FFL工艺包含一个完整的射频（RF）套件，并结合多种先进的模拟和射频器件来支持高度集成的产品。借由广泛采用单一图案成形及简化的设计法则，使22FFL成为价格合理、易于使用可面向多种产品的设计平台，与业界的28nm的平面工艺相比在成本上极具竞争力。
MarkBohr最后介绍英特尔目前还在进行许多前沿项目的研究，包括纳米线晶体管、III-V晶体管、3D堆叠、密集内存、密集互联、EUV图案成形、神经元计算以及自旋电子学等领域。
ZanBall主题演讲：代工
英特尔公司技术与制造事业部副总裁英特尔晶圆代工业务联席总经理ZanBall先生的主题演讲
ZanBall认为，中国半导体消费全球占比达到58.5%，中国无晶圆厂全球行业占比25%，可见，中国半导体领域拥有巨大的机会。
英特尔晶圆代工重点北京到哪家医院治疗白癜风效果好北京那个医院治疗白癜风好
转载请注明：http://www.deudeguo.com/jykb/13915.html
当前位置： 经济学原理 > 经济学原理课本 > 英特尔左T右S，发布10nm和22FFL
